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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

VQ1006P +BOM

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

VQ1006P
Datenblatt:

VQ1006P Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

4 N-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

90V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an VQ1006P

VQ1006P Allgemeine Beschreibung

Featuring a Drain Source Voltage (Vds) of 90V and a Continuous Drain Current (Id) of 2A, the VQ1006P MOSFET can handle moderate power levels with ease. Its On Resistance (Rds(on) of 4.5ohm and Rds(on) Test Voltage (Vgs) of 10V ensure minimal power loss and high efficiency in operation

Hauptmerkmale

Low On-Resistance: 3.6
Low Threshold: 1.6 V
Low Input Capacitance: 35 pF
Fast Switching Speed: 6 ns
Low Input and Output Leakage
BENEFITS
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	4 N-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	90V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	400mA	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Power - Max	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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