Bezahlverfahren
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
MOSFET QD 30V 0.53A
PDIP-SB-14Hersteller:
VISHAY SILICONIX
Herstellerteil #:
VQ1001P
Datenblatt:
Part Life Cycle Code:
Obsolete
Pin Count:
14
ECCN Code:
EAR99
Additional Feature:
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für VQ1001P zu erhalten. Garantierte Antwort innerhalb
12hr.
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
Boasting a drain-source breakdown voltage of 30V and a gate-source voltage of 2.5V, the VQ1001P MOSFET is a reliable component with a continuous drain current of 3A and an on resistance of 1ohm. The 14-pin package offers easy integration into electronic circuits, though it is important to note that this MOSFET is not RoHS compliant
Part Life Cycle Code | Obsolete | Pin Count | 14 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Configuration | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 0.83 A |
Drain-source On Resistance-Max | 1 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 35 pF | JESD-30 Code | R-CDIP-T14 |
Number of Elements | 4 | Number of Terminals | 14 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 3 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Max (toff) | 30 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 30 ns |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren