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Siehe Technische Spezifikationen

ZVN2110GTA +BOM

This device, identified as ZVN2110GTA, belongs to the SOT-223-3 package type, providing ease of integration into circuit designs

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVN2110GTA
Datenblatt:

ZVN2110GTA Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVN2110GTA

ZVN2110GTA Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Hauptmerkmale

6A Pulse Drain Current
Fast Switching Speed
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	500 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	4 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Series	ZVN2110
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	250 S	Height	1.65 mm
Length	6.7 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	4 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Typical Turn-Off Delay Time	8 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	Width	3.7 mm
Unit Weight	0.003951 oz

Servicerichtlinien und andere

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