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This TO-92-3 packaged MOSFET conforms to the RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directive
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)Hersteller:
Diodes Incorporated
Herstellerteil #:
ZVN3310A
Datenblatt:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:
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The ZVN3310A is a versatile N-channel enhancement mode vertical DMOS FET that is designed for small signal field-effect transistor applications. With a maximum drain current (I(D)) rating of 0.2A and a drain-source voltage (V(DSS)) rating of 100V, this transistor is suitable for a wide range of low-power electronic circuits
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 625mW (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | ZVN3310 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $0,569 | $0,57 |
10+ | $0,474 | $4,74 |
30+ | $0,426 | $12,78 |
100+ | $0,379 | $37,90 |
500+ | $0,350 | $175,00 |
1000+ | $0,337 | $337,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
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