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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZVN4206GTA +BOM

N-channel MOSFET capable of handling 60 volts

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVN4206GTA
Datenblatt:

ZVN4206GTA Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVN4206GTA

ZVN4206GTA Allgemeine Beschreibung

With its vertical DMOS structure, the ZVN4206GTA delivers superior efficiency and performance compared to traditional transistors. The enhancement mode operation ensures that the transistor is normally off, reducing power consumption when not in use

Hauptmerkmale

Compact Geometry

Fast Switching Speeds

No Secondary Breakdown and Excellent Temperature Stability

High Input Impedance and Low Current Drive

Ease of Paralleling

Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

Anwendung

• DC-DC Converters• Solenoid / Relay Drivers for Automotive Applications• Stepper Motor Drivers and Print Head Drivers

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZVN4206

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