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Siehe Technische Spezifikationen

ZVN4306G +BOM

SOT-223 Packaged N-Channel Power MOSFET with 2.1A Drain Current, 60V Voltage Rating, 0.45ohm On-Resistance, Single Element, Silicon Material

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVN4306G
Datenblatt:

ZVN4306G Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.1A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVN4306G

ZVN4306G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 2.1A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Hauptmerkmale

Very low RDS(ON) = .33Ω

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	330mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZVN4306

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