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Siehe Technische Spezifikationen

ZVN4525E6TA +BOM

Product ZVN4525E6TA is a small signal field-effect transistor with an I(D) of 0

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVN4525E6TA
Datenblatt:

ZVN4525E6TA Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

230mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA Allgemeine Beschreibung

Ideal for power management circuits, load switching, and LED driver circuits, the ZVN4525E6TA is a reliable choice for applications where both size and power efficiency are key considerations. Its Pb-free packaging and RoHS compliance make it environmentally friendly and safe for use in applications that require adherence to hazardous substance regulations. Whether you're designing a new electronic device or upgrading an existing system, the ZVN4525E6TA offers the performance and reliability you need

Hauptmerkmale

High voltage
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Complementary P-channel Type ZVP4525E6
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	230mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.4V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.65 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±40V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	72 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZVN4525

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