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Siehe Technische Spezifikationen

ZVNL120A +BOM

MOSFET N-Chnl 200V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVNL120A
Datenblatt:

ZVNL120A Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

180mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVNL120A

ZVNL120A Allgemeine Beschreibung

In summary, the ZVNL120A is a high-quality, versatile transistor suitable for a range of low-power applications. Its compact size, high voltage rating, and N-channel design make it a valuable component for any electronics enthusiast or professional

Hauptmerkmale

200 Volt VDS
RDS(on)=10Ω
Low threshold

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	85 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	ZVNL120

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