Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZVP4105A +BOM

Transistor of P-Type with a Voltage Tolerance of up to 50V and Current Capacity of 0.175A, Encased in a 3-Pin E-Line Configuration

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVP4105A
Datenblatt:

ZVP4105A Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

175mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVP4105A

ZVP4105A Allgemeine Beschreibung

The ZVP4105A is a small signal field-effect transistor with a maximum I(D) of 0.175A and a voltage rating of 50V. This P-channel silicon MOSFET is designed for use in low-power applications, providing reliable performance in a TO-92 compatible E-Line package

Hauptmerkmale

* 50 Volt VDS

* RDS(on)=10

* Low threshold

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	175mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	40 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	625mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..