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Siehe Technische Spezifikationen

ZVP4525GTA +BOM

Small-Signal FET: P-Channel, Silicon-based, SOT-223 Package, 0.265A Drain Current, 250V Voltage

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVP4525GTA
Datenblatt:

ZVP4525GTA Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

265mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZVP4525GTA

ZVP4525GTA Allgemeine Beschreibung

P-Channel 250 V 265mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Hauptmerkmale

High voltage
Low on-resistance
Fast switching speed
Low gate drive
Low threshold
Complementary N-channel type ZVN4525G
SOT223 package

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	265mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±40V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	73 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZVP4525

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