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Siehe Technische Spezifikationen

2N3019S +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N3019S
Datenblatt:

2N3019S Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

1 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3019S

2N3019S Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hauptmerkmale

Radiation graphs available
Product Summary:

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	80 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	15
JEDEC-95 Code	TO-205AD	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e4	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	175 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	GOLD
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	140 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	800 mW
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.118585 oz

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