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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3421 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N3421
Datenblatt:

2N3421 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

3 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3421

2N3421 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 40MHz Through Hole TO-39

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	3 A	Collector-Emitter Voltage-Max	80 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	15
JEDEC-95 Code	TO-5	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Polarity/Channel Type	NPN
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Max (toff)	1300 ns	Turn-on Time-Max (ton)	300 ns
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector- Base Voltage VCBO	125 V	Emitter- Base Voltage VEBO	8 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV	Maximum DC Collector Current	3 A
Pd - Power Dissipation	1 W	Gain Bandwidth Product fT	-
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Continuous Collector Current	3 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	40 at 100 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max	120 at 1 A, 2 V	Height	6.6 mm
Length	9.4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	8.51 mm

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