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Siehe Technische Spezifikationen

2N3441 +BOM

140V 3W 25@500mA,4V 3A NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N3441
Datenblatt:

2N3441 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

140 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3441

2N3441 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 3 A 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	140 V	Collector- Base Voltage VCBO	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	3 A	Pd - Power Dissipation	3 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	25 at 500 mA, 4 VDC	DC Current Gain hFE Max	100 at 500 mA, 4 VDC
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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