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Siehe Technische Spezifikationen

2N3506 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 500 mA 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N3506
Datenblatt:

2N3506 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

3 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3506

2N3506 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 500 mA 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	3 A	Collector-Emitter Voltage-Max	40 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	25
JEDEC-95 Code	TO-39	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	5 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD OVER NICKEL	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	60 MHz
Turn-off Time-Max (toff)	90 ns	Turn-on Time-Max (ton)	45 ns
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV	Maximum DC Collector Current	3 A
Pd - Power Dissipation	1 W	Gain Bandwidth Product fT	-
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	50 at 500 mA, 1 V	DC Current Gain hFE Max	250 at 500 mA, 1 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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