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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3636 +BOM

Maximum Power Dissipation of 1000mW

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N3636
Datenblatt:

2N3636 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

175 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3636

2N3636 Allgemeine Beschreibung

When it comes to performance, the 2N3636 doesn't disappoint. With a gain bandwidth product of 30MHz, this transistor delivers reliable amplification capabilities across a wide frequency range. Its low collector-emitter saturation voltage of 0.3V ensures efficient power conversion, making it a top choice for low-voltage applications where energy efficiency is crucial

Hauptmerkmale

The 2N36 transistor has many uses.
It's suitable for amplifying signals.
Its current gain is very high

Anwendung

Perfect for signal amplification
Used in audio and voltage regulators
Popular in consumer electronics

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	175 V	Collector- Base Voltage VCBO	175 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	1 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	50 at 50 mA, 10 VDC	DC Current Gain hFE Max	150 at 50 mA, 10 VDC
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.205840 oz

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