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Siehe Technische Spezifikationen

2N3720 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 60MHz 6 W Through Hole TO-5AA

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N3720
Datenblatt:

2N3720 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Additional Feature:

HIGH RELIABILITY
Collector Current-Max (IC):

3 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3720

2N3720 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 60MHz 6 W Through Hole TO-5AA

Hauptmerkmale

Low Saturation Voltage: 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp
High Gain Characteristics: hFE @ IC = 250 mA: 30-100
Excellent Safe Area Limits
Low Collector Cutoff Current: 100 nA (Max) 2N3740A

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Collector Current-Max (IC)	3 A
Collector-Emitter Voltage-Max	60 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	25	JEDEC-95 Code	TO-5
JESD-30 Code	O-MBCY-W3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	200 °C	Polarity/Channel Type	PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	1 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	60 MHz	Turn-off Time-Max (toff)	400 ns
Turn-on Time-Max (ton)	100 ns

Servicerichtlinien und andere

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