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Siehe Technische Spezifikationen

2N4240 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 2 A 35 W Through Hole TO-66

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N4240
Datenblatt:

2N4240 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

500 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 75mA, 750mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4240

2N4240 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 2 A 35 W Through Hole TO-66

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 75mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max)	5mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 750mA, 10V
Power - Max	35 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V	Collector- Base Voltage VCBO	500 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	2 A	Pd - Power Dissipation	35 W
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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