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Siehe Technische Spezifikationen

2N6058 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N6058
Datenblatt:

2N6058 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Case Connection:

COLLECTOR
Collector Current-Max (IC):

12 A

2N6058 Allgemeine Beschreibung

The 2N6058 transistor boasts a transition frequency of 2MHz and a gain bandwidth product of 500kHz, making it well-suited for high frequency applications. Its maximum junction temperature of 150°C and thermal resistance junction to case of 2.08°C/W ensure reliable performance in various operating conditions

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	12 A
Collector-Emitter Voltage-Max	80 V	Configuration	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	100	JEDEC-95 Code	TO-204AA
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	200 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	150 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	PIN/PEG	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	4 MHz	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors

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