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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6301 +BOM

High voltage handling capacity in BJT transistors

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N6301
Datenblatt:

2N6301 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6301

2N6301 Allgemeine Beschreibung

The TO-92 package of the 2N6301 is another important aspect to consider. This industry-standard package type provides easy mounting on printed circuit boards, allowing for quick and convenient installation. Additionally, the TO-92 package offers good thermal conductivity, ensuring efficient heat dissipation during operation

Hauptmerkmale

Silicon Epitaxial Planar Transistor
P-N-P, Low Power, High Current Gain
Low Noise Figure, Fast Switching Speed
Suitable for Audio and Signal Processing Applications

Anwendung

Quality signal processing
Amplify with accuracy

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	75 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Continuous Collector Current	8 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	100
DC Current Gain hFE Max	18000	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.824529 oz

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