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Siehe Technische Spezifikationen

2N6318 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 mA 90 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N6318
Datenblatt:

2N6318 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Case Connection:

COLLECTOR
Collector Current-Max (IC):

7 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6318

2N6318 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 mA 90 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	7 A
Collector-Base Capacitance-Max	300 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	80 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	4
Fall Time-Max (tf)	800 ns	JEDEC-95 Code	TO-213AA
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	200 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	90 W
Qualification Status	Not Qualified	Rise Time-Max (tr)	700 ns
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	PIN/PEG	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Max (toff)	1800 ns	VCEsat-Max	2 V

Servicerichtlinien und andere

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