Bezahlverfahren
2N6339 +BOM
Bipolar (BJT) Transistor
TO-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
2N6339
-
Datenblatt:
-
Factory Pack Quantity:
1
-
Technology:
Si
-
EDA/CAD Modelle:
All bill of materials (BOM) can be sent via email to [email protected], or fill below form to Quote for 2N6339, guaranteed quotes back within 12hr.
Verfügbarkeit: 7305 Stck
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2N6339 Allgemeine Beschreibung
Designers can count on the 2N6339 transistor to provide reliable performance in a variety of applications. With its TO-3 package and maximum power dissipation of 120W, this silicon PNP transistor is capable of meeting medium power requirements with ease. Its high gain-bandwidth product of 15MHz ensures stable amplification, while the low saturation voltage allows for efficient switching operations
Spezifikationen
Transistor Type | - | Current - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | - | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Power - Max | - | Frequency - Transition | - |
Operating Temperature | - | Mounting Type | - |
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
Servicerichtlinien und andere
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In Stock: 7.305
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $8,644 | $8,64 |
200+ | $3,450 | $690,00 |
500+ | $3,334 | $1.667,00 |
1000+ | $3,277 | $3.277,00 |
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