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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6437 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N6437
Datenblatt:

2N6437 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

25 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

100 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6437

2N6437 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A Through Hole TO-3

Hauptmerkmale

High DC Current Gain hFE=20-80©lc= 10A = 12 (Min)®lc=25A
Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A
Complementto2N6338 thru 2N6340

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	25 A	Collector-Emitter Voltage-Max	100 V
DC Current Gain-Min (hFE)	30	JEDEC-95 Code	TO-3
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Number of Terminals	2	Polarity/Channel Type	PNP
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Element Material	SILICON

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