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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002BKV,115 +BOM

Reliable voltage control in small-footprint packag

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

2N7002BKV,115
Datenblatt:

2N7002BKV,115 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002BKV,115

2N7002BKV,115 Allgemeine Beschreibung

With a compact form factor and high power handling capabilities, the 2N7002BKV,115 is ideal for applications requiring robust power management. Its efficient design ensures minimal power loss and maximum performance, making it a top choice for engineers seeking high-quality components

Hauptmerkmale

High efficiency performance
Compact package size
Easy integration with existing systems

Anwendung

Pressure sensor
Capacitive touch controller
Proximity sensor

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	350 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V
Qg - Gate Charge	600 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	440 mW
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	934064288115
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

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