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2N7002HWX +BOM

N-Channel 60 V 310mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-323

2N7002HWX Allgemeine Beschreibung

The 2N7002HWX is a high-performance N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for various applications. It offers a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, making it suitable for space-constrained designs. This FET utilizes Trench MOSFET technology, providing efficient and reliable performance in a wide range of electronic systems

Nexperia Inventar

Hauptmerkmale

  • Highly efficient energy usage
  • Long lifespan ensured
  • Fully compatible with most systems
  • Excellent thermal management
Nexperia Originalbestand

Anwendung

  • Speedy relay control
  • Efficient line driver
  • Small load switch
Nexperia Inventar

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 310 mA Rds On - Drain-Source Resistance 1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.4 V
Qg - Gate Charge 300 pC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 310 mW
Channel Mode Enhancement Configuration Single
Fall Time 4 ns Product Type MOSFET
Rise Time 3 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 6 ns
Typical Turn-On Delay Time 2 ns Part # Aliases 934661227115

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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