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IGBT Modules DOR CC0085
SMDHersteller:
Herstellerteil #:
APT40GLQ120JCU2
Datenblatt:
Product:
IGBT Silicon Modules
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:
2.05 V
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 80 A 312 W Chassis, Stud Mount SOT-227
Product Category: | IGBT Modules | Product: | IGBT Silicon Modules |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.05 V | Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Gate-Emitter Leakage Current: | 120 nA | Pd - Power Dissipation: | 312 W |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Packaging: | Tube | Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Mounting Style: | SMD/SMT | Product Type: | IGBT Modules |
Factory Pack Quantity: | 1 | Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $106,632 | $106,63 |
200+ | $42,547 | $8.509,40 |
500+ | $41,126 | $20.563,00 |
1000+ | $40,423 | $40.423,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
2N2905
MICROCHIP
1000+ $19,458
2N3773
Onsemi
100+ $0,928
2N3055
Onsemi
1000+ $0,646
2N2219
Microchip
Excellent reliability and fast switching times make this BJTs transistor ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics
2N1711
Stmicroelectronics
With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals