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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

APTGT200A120G +BOM

High-power electronic module for efficient power control and conversio

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

APTGT200A120G
Datenblatt:

APTGT200A120G Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

280 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an APTGT200A120G

APTGT200A120G Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 280 A 890 W Chassis Mount SP6

Hauptmerkmale

Configuration: Phase leg
VCES (V): 1200
VCESat (V): 1.7
Current (A)>
Silicon type: TRENCH 3 IGBT
Package: SP6C
Configuration: Phase leg
VCES (V): 1200
VCESat (V): 1.7
Current (A)>
Silicon type: TRENCH 3 IGBT
Package: SP6C

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	280 A
Power - Max	890 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)	350 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	14 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	APTGT200

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