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IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SP3
SP3Hersteller:
Herstellerteil #:
APTGT75TL60T3G
Datenblatt:
IGBT Type:
Trench Field Stop
Configuration:
Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
600 V
Current - Collector (Ic) (Max):
100 A
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IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SP3
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules | Series | - |
IGBT Type | Trench Field Stop | Configuration | Three Level Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
Power - Max | 250 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.62 nF @ 25 V |
Input | Standard | NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
Base Product Number | APTGT75 | feature-technology | |
feature-channel-type | N | feature-configuration | Quad |
feature-maximum-gate-emitter-voltage-v | ±20 | feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 600 |
feature-maximum-continuous-collector-current-a | 100 | feature-maximum-power-dissipation-mw | 250 |
feature-packaging | Tube | feature-pin-count | 32 |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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2N2905
MICROCHIP
1000+ $19,458
2N3773
Onsemi
100+ $0,928
2N3055
Onsemi
1000+ $0,646
2N2219
Microchip
Excellent reliability and fast switching times make this BJTs transistor ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics
2N1711
Stmicroelectronics
With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals