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Siehe Technische Spezifikationen

APTGT100TL170G +BOM

IGBT Modules DOR CC6205

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

APTGT100TL170G
Datenblatt:

APTGT100TL170G Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
Current - Collector (Ic) (Max):

150 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an APTGT100TL170G

APTGT100TL170G Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1700 V 150 A 560 W Chassis Mount SP6

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V	Current - Collector (Ic) (Max)	150 A
Power - Max	560 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)	350 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	9 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	APTGT100	Product Category:	IGBT Modules
Product:	IGBT Silicon Modules	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2 V	Continuous Collector Current at 25 C:	150 A
Gate-Emitter Leakage Current:	500 nA	Pd - Power Dissipation:	560 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 100 C
Packaging:	Tube	Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Mounting Style:	Chassis Mount	Product Type:	IGBT Modules
Factory Pack Quantity:	1	Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si	Unit Weight:	3.880136 oz

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