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APTGT150DH120G +BOM

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200 V 220 A 690 W Chassis Mount SP6

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

APTGT150DH120G
Datenblatt:

APTGT150DH120G Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Asymmetrical Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

220 A

APTGT150DH120G Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200 V 220 A 690 W Chassis Mount SP6

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Asymmetrical Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	220 A
Power - Max	690 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)	350 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	10.7 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	APTGT150	feature-technology
feature-channel-type	N	feature-configuration	Dual
feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20	feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1200
feature-maximum-continuous-collector-current-a	220	feature-maximum-power-dissipation-mw	690
feature-packaging	Tube	feature-pin-count	8
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc-exceeds-threshold	No

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