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Siehe Technische Spezifikationen

BC546B +BOM

65V 625mW 200@2mA,5V 100mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BC546B
Datenblatt:

BC546B Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC546B

BC546B Allgemeine Beschreibung

The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.

Hauptmerkmale

Pb-Free Package is Available*

Anwendung

ESD Protection
Polarity Reversal Protection
Data Line Protection
Inductive Load Protection
Steering Logic

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	600 mV	Maximum DC Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	500 mW	Gain Bandwidth Product fT	300 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	BCXXX	Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	200 at 2 mA, 5 V	DC Current Gain hFE Max	200
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Tradename	BC546B	Unit Weight	0.011852 oz

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