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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BC807-25 +BOM

High-performance silicon-based device for general-purpose applications

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BC807-25
Datenblatt:

BC807-25 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC807-25

BC807-25 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

Microcontroller applications
LED driver circuits
Power amplifier designs
Audio frequency modulation
Wireless communication systems

Anwendung

Low power audio amplification
Switching applications
Low power transistors

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	310 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC807
Continuous Collector Current	500 mA	Height	1 mm
Length	3.05 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.4 mm	Unit Weight	0.000282 oz

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