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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BC847BS +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BC847BS
Datenblatt:

BC847BS Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC847BS

BC847BS Allgemeine Beschreibung

This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 200 mA. Sourced from Process 07.

Hauptmerkmale

Low collector capacitance
Low collector-emitter saturation voltage
Closely matched current gain
Reduces number of components and board space
No mutual interference between the transistors

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	650 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	310 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC847BS
Continuous Collector Current	100 mA	Height	1 mm
Length	2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.25 mm
Unit Weight	0.000988 oz

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