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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BCP52 +BOM

Trans GP BJT PNP 60V 1.2A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BCP52
Datenblatt:

BCP52 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BCP52

BCP52 Allgemeine Beschreibung

The BCP52 is a versatile device that caters to a wide range of applications, from medium power amplifiers to switching circuits. With a maximum collector current of 1.0 A, this transistor is designed to handle various tasks with ease. Its sourcing from Process 78 ensures high quality and reliability, making it a suitable choice for your electronic projects

Hauptmerkmale

High current
Three current gain selections
High power dissipation capability
AEC-Q101 qualified

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1.2 A	Pd - Power Dissipation	1.5 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	BCP52	Continuous Collector Current	1.2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	DC Current Gain hFE Max	250
Height	1.6 mm	Length	6.5 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.56 mm	Part # Aliases	BCP52_NL
Unit Weight	0.003951 oz

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