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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BCP55 +BOM

Bipolar Transistors - BJT SOT-223 NPN GP AMP

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BCP55
Datenblatt:

BCP55 Datenblatt (PDF)
IC Max:

1000.0 mA
HFE Max:

250.0
HFE Min:

40.0
VCE(sat) Max:

0.5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BCP55

BCP55 Allgemeine Beschreibung

The BCP55 device caters to a broad range of applications, excelling in medium power amplification and efficient switching operations with collector currents reaching 1.0 A. Produced through Process 38, this component upholds high standards of performance and reliability. To delve deeper into its characteristics, please review the documentation provided for the BCP54 model

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

IC max	1000.0 mA	hFE max	250.0
hFE min	40.0	VCE(sat) max	0.5 V
ICBO max	100.0 nA	Ptot max	2000.0 mW
VCEO max	60.0 V	ICM max	1500.0 mA
VCBO max	60.0 V	VEBO max	5.0 V
IBM max	200.0 mA	Polarity	NPN (Single)
Mounting	SMT

Servicerichtlinien und andere

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