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Siehe Technische Spezifikationen

C2M1000170D +BOM

Voltage Rating: 1700V

Hersteller:

Wolfspeed
Herstellerteil #:

C2M1000170D
Datenblatt:

C2M1000170D Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an C2M1000170D

C2M1000170D Allgemeine Beschreibung

N-Channel 1700 V 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3

Hauptmerkmale

High Efficiency Performance
Fast Rise Time Capability
Low Gate Drive Current
Excellent Thermal Stability
Improved Reliability Features
Precise Delay Timing Control

Anwendung

Power up!
Control all!
Light it up!
Battery boost
Temp check
Sense it all

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	SiC	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.7 kV	Id - Continuous Drain Current	4.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.4 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	13 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	69 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Forward Transconductance - Min	0.82 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	46 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Unit Weight	0.211644 oz

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