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C2M0080120D +BOM

Power Mosfet, N Channel, 31.6 A, 1.2 Kv, 0.08 Ohm, 20 V, 3.2 V Rohs Compliant: Yes

C2M0080120D Allgemeine Beschreibung

The C2M0080120D MOSFET is a reliable and efficient semiconductor component with a high drain source voltage of 1200V and a continuous drain current of 31.6A. Its low on-resistance of 0.08ohm ensures minimal power loss and high efficiency. With a threshold voltage of 3.2V and a power dissipation of 208W, this N-channel transistor is designed for high performance in challenging environments. The TO-247 case style with 3 pins allows for easy and secure mounting, while its wide operating temperature range of -55°C to 150°C ensures versatility in various applications

Hauptmerkmale

  • High Blocking Voltage with Low On-Resistance
  • High Speed Switching with Low Capacitances
  • Easy to Parallel and Simple to Drive
  • Avalanche Ruggedness
  • Resistant to Latch-Up
  • Halogen Free, RoHS Compliant
  • Benefts
  • Higher System Effciency
  • Reduced Cooling Requirements
  • Increased Power Density
  • Increased System Switching Frequency

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Not Recommended
Reach Compliance Code compliant Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 1200 V
Drain Current-Max (ID) 36 A Drain-source On Resistance-Max 0.098 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80 A Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON CARBIDE

Servicerichtlinien und andere

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