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Siehe Technische Spezifikationen

CGH27030S +BOM

DFN EP package 12-pin RF MOSFET

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

CGH27030S
Datenblatt:

CGH27030S Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN
Operating Frequency:

2.7 GHz
Gain:

18 dB

CGH27030S Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 200 mA 6GHz 18.3dB 30W 12-DFN (4x3)

Spezifikationen

Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	HEMT
Technology:	GaN	Operating Frequency:	2.7 GHz
Gain:	18 dB	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	84 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V, 2 V
Id - Continuous Drain Current:	7 A	Output Power:	30 W
Maximum Drain Gate Voltage:	28 V	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	21.6 W
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	MouseReel
Application:	Telecom	Configuration:	Single
Moisture Sensitive:	Yes	Operating Temperature Range:	- 40 C to + 150 C
Product Type:	RF JFET Transistors	Factory Pack Quantity:	250
Subcategory:	Transistors	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3.8 V

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