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Siehe Technische Spezifikationen

CGHV27015S +BOM

RF JFET Transistors for GaN HEMT

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

CGHV27015S
Datenblatt:

CGHV27015S Datenblatt (PDF)
Series:

GaN
Technology:

HEMT
Frequency:

6GHz
Gain:

21dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CGHV27015S

CGHV27015S Allgemeine Beschreibung

Electrical properties of the CGHV27015S include a drain-source voltage rating of 85V, a typical gain of 18dB, and a power-added efficiency exceeding 50%. With a high tolerance for input power levels and exceptional thermal management capabilities, this transistor is engineered to withstand continuous operation under demanding high-power settings. Whether in the realm of telecommunications or defense, the CGHV27015S stands ready to deliver unparalleled performance for critical amplifier applications

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	GaN
Technology	HEMT	Frequency	6GHz
Gain	21dB	Voltage - Test	50 V
Current Rating (Amps)	-	Noise Figure	-
Current - Test	60 mA	Power - Output	15W
Voltage - Rated	125 V	Base Product Number	CGHV27015
Pin Count	13	Released Date	May 6, 2020
Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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