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CGHV35400F1 +BOM
RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Flange
SMD-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
CGHV35400F1
-
Datenblatt:
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Shipping Restrictions:
This product may require additional documentation to export from the United States.
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Transistor Type:
HEMT
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Technology:
GaN
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Operating Frequency:
2.9 GHz to 3.5 GHz
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EDA/CAD Modelle:
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CGHV35400F1 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 50 V 500 mA 2.9GHz ~ 3.5GHz 15dB 400W 440226
Spezifikationen
Product Category: | RF JFET Transistors | Shipping Restrictions: | This product may require additional documentation to export from the United States. |
Transistor Type: | HEMT | Technology: | GaN |
Operating Frequency: | 2.9 GHz to 3.5 GHz | Gain: | 11 dB |
Transistor Polarity: | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 125 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | - 10 V, 2 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
Output Power: | 400 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 125 C | Mounting Style: | Flange Mount |
Packaging: | Tray | Product Type: | RF JFET Transistors |
Factory Pack Quantity: | 1 | Subcategory: | Transistors |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
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