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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CGH40090PP +BOM

Advanced GaN HEMT transistor soluti

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

CGH40090PP
Datenblatt:

CGH40090PP Datenblatt (PDF)
Series:

GaN
Technology:

HEMT
Frequency:

0Hz ~ 4GHz
Gain:

12.5dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CGH40090PP

CGH40090PP Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 1 A 0Hz ~ 4GHz 12.5dB 100W 440199

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	GaN
Technology	HEMT	Frequency	0Hz ~ 4GHz
Gain	12.5dB	Voltage - Test	28 V
Current Rating (Amps)	28A	Noise Figure	-
Current - Test	1 A	Power - Output	100W
Voltage - Rated	84 V	Base Product Number	CGH40
Continuous Drain Current (ID)	12 A	Current Rating	28 A
Drain to Source Breakdown Voltage	84 V	Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Efficiency	55 %	Gate to Source Voltage (Vgs)	-10 V
Max Frequency	4 GHz	Max Junction Temperature (Tj)	225 °C
Max Operating Temperature	85 °C	Max Output Power	90 W
Min Operating Temperature	-40 °C	Number of Channels	2
Output Power	100 W	Power Dissipation	112 W
Test Current	1 A	Test Voltage	28 V
Voltage Rating	28 V

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