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Siehe Technische Spezifikationen

CGH40025P +BOM

RF JFET Transistors 25W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Pill

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

CGH40025P
Datenblatt:

CGH40025P Datenblatt (PDF)
Continuous Drain Current (ID):

3 A
Drain To Source Breakdown Voltage:

84 V
Drain To Source Voltage (Vdss):

120 V
Efficiency:

62 %
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CGH40025P

CGH40025P Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 250 mA 6GHz 13dB 30W 440196

Spezifikationen

Continuous Drain Current (ID)	3 A	Drain to Source Breakdown Voltage	84 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V	Efficiency	62 %
Gain	13 dB	Gate to Source Voltage (Vgs)	-10 V
Max Frequency	6 GHz	Max Junction Temperature (Tj)	225 °C
Max Operating Temperature	150 °C	Max Output Power	25 W
Min Operating Temperature	-40 °C	Number of Channels	1
Power Dissipation	14 W	Voltage Rating	28 V

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