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EMF20B02V +BOM

Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EDFN-8

Hersteller:

EMC
Herstellerteil #:

EMF20B02V
Datenblatt:

EMF20B02V Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

DRAIN
Configuration:

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an EMF20B02V

EMF20B02V Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EDFN-8

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	DRAIN
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	8.5 A	Drain-source On Resistance-Max	0.02 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	S-PDSO-F6
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	34 A	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Element Material	SILICON

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