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Siehe Technische Spezifikationen

EMB60T2R +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (with built-in resistors)

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

EMB60T2R
Datenblatt:

EMB60T2R Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 PNP Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Resistor - Base (R1):

2kOhms

EMB60T2R Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased	Series	-
Transistor Type	2 PNP Pre-Biased (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Resistor - Base (R1)	2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 5mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250MHz	Power - Max	150mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	EMB60
Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration:	Dual
Transistor Polarity:	PNP	Typical Input Resistor:	2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio:	21	Mounting Style:	SMD/SMT
Maximum Operating Frequency:	250 MHz	Continuous Collector Current:	100 mA
Pd - Power Dissipation:	150 mW	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Cut Tape	Output Voltage:	150 mV
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	8000
Subcategory:	Transistors	Part # Aliases:	EMB60

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