Bezahlverfahren
ESM2012DV +BOM
ESM2012DV is a silicon-based NPN power transistor rated at 120A and 125V, featuring an ISOTOP-4 package
ISOTOP-
Hersteller:
Stmicroelectronics
-
Herstellerteil #:
ESM2012DV
-
Datenblatt:
-
Configuration:
Single Dual Emitter
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Transistor Polarity:
NPN
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
150 V
-
Emitter- Base Voltage VEBO:
7 V
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 5259 Stck
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ESM2012DV Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 120 A 175 W Chassis Mount ISOTOP®
Hauptmerkmale
- Multifunctional camera with versatile shooting capabilities
- Robust build quality and weather-resistant design
- User-friendly interface and easy operation
- Durable and long-lasting battery life for extended use
Anwendung
- Lab research
- Biotech applications
- Clinical settings
Spezifikationen
Product Category | Darlington Transistors | Configuration | Single Dual Emitter |
Transistor Polarity | NPN | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 150 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Maximum DC Collector Current | 120 A |
Mounting Style | Through Hole | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | ESM2012 |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 1200 | Height | 9.1 mm |
Length | 38.2 mm | Product Type | Darlington Transistors |
Factory Pack Quantity | 100 | Subcategory | Transistors |
Width | 25.5 mm |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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In Stock: 5.259
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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