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Siehe Technische Spezifikationen

ESM3030DV +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300 V 100 A 225 W Chassis Mount ISOTOP®

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

ESM3030DV
Datenblatt:

ESM3030DV Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single Dual Emitter
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

300 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

7 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ESM3030DV

ESM3030DV Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300 V 100 A 225 W Chassis Mount ISOTOP®

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single Dual Emitter
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Maximum DC Collector Current	100 A
Maximum Collector Cut-off Current	1 mA	Pd - Power Dissipation	225 W
Mounting Style	Through Hole	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	ESM3030DV	DC Collector/Base Gain hfe Min	300
DC Current Gain hFE Max	300	Height	9.1 mm
Length	38.2 mm	Product Type	Darlington Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Width	25.5 mm	Unit Weight	1.304008 oz

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