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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

F4-50R06W1E3 +BOM

Robust insulated gate bipolar transistor for high-reliability system

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

F4-50R06W1E3
Datenblatt:

F4-50R06W1E3 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

75 A

Hauptmerkmale

Low inductive design
Low Switching Losses
Trench IGBT 3
Low VCEsat
Mechanical Features
Al2O3 Substrate for Low Thermal Resistance
Compact Design
Solder Contact Technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	75 A	Collector-Emitter Voltage-Max	600 V
Configuration	COMPLEX	JESD-30 Code	R-XUFM-X25
Number of Elements	4	Number of Terminals	25
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	370 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	43 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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