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FGPF50N33BT +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN

FGPF50N33BT Allgemeine Beschreibung

Insulated Gate Bipolar Transistor, 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN

Hauptmerkmale

  • High Current Capability
  • Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V @ IC = 50 A
  • High Input Impedance
  • RoHS Compliant

Spezifikationen

Source Content uid FGPF50N33BT Part Life Cycle Code Transferred
Pin Count 3 Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 Case Connection ISOLATED
Collector-Emitter Voltage-Max 330 V Configuration SINGLE
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 365 ns Turn-on Time-Nom (ton) 46 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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