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FQD13N06L +BOM

oxide semiconductor fet to-252 dpak-3

FQD13N06L Allgemeine Beschreibung

Ideal for a wide range of applications, the FQD13N06L stands out as a reliable and efficient solution for power management needs. Its state-of-the-art design and advanced technology make it a top choice for professionals looking to optimize their systems. Whether used in audio amplifiers or switched mode power supplies, this MOSFET offers the performance and durability required for high-quality, long-lasting operation

Hauptmerkmale

  • Fast switching time (Typ. 200ns)
  • High voltage handling (Typ. 500V)
  • Excellent reliability (MTBF Typ. 100000h)
  • Low noise operation (Typ. 5mVpp)

Anwendung

  • Artistic craft supplies
  • Unique home decor items
  • Durable outdoor furniture

Spezifikationen

Source Content uid FQD13N06L Pbfree Code No
Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count 3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Additional Feature FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 90 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 11 A Drain-source On Resistance-Max 0.145 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-252
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 28 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 44 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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