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Siehe Technische Spezifikationen

IAUT165N08S5N029 +BOM

MOSFETs H-PSOF-8-1 IAUT165N08S5N029

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IAUT165N08S5N029
Datenblatt:

IAUT165N08S5N029 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IAUT165N08S5N029

IAUT165N08S5N029 Allgemeine Beschreibung

Infineon Technologies' IAUT165N08S5N029 power MOSFET is a robust and efficient solution for industrial power applications. With a high VDS and ID, it offers reliable power handling for various applications, while its low RDS(on) ensures high efficiency. The MOSFET's high dv/dt immunity reduces electromagnetic interference, contributing to improved system reliability. Its TO252-3 package provides high power density and thermal performance, making it suitable for demanding applications requiring efficient and reliable power handling

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	165A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 80A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6370 pF @ 40 V	Power Dissipation (Max)	167W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUT165

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