Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPA60R165CP +BOM

600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP N-channel MOSFET

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPA60R165CP
Datenblatt:

IPA60R165CP Datenblatt (PDF)
RthJA Max:

80.0 K/W
Operating Temperature Min:

-55.0 °C
Ptot Max:

34.0 W
VDS Max:

600.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPA60R165CP

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPA60R165CP Allgemeine Beschreibung

This power transistor features a fast switching speed and low gate charge, making it ideal for high frequency switching applications. Its high avalanche energy rating provides protection against voltage spikes and overloads, ensuring a reliable and durable solution for power management needs. The rugged and reliable construction of the IPA60R165CP transistor, combined with its wide temperature range and high junction temperature rating, ensures stable performance in varying operating conditions

Hauptmerkmale

Low input current noise
Fast startup times
Compact design flexibility

Anwendung

PLC control systems
Battery chargers
Solar panels

Spezifikationen

RthJA max	80.0 K/W	Operating Temperature min	-55.0 °C
Ptot max	34.0 W	VDS max	600.0 V
VGS(th) max	3.5 V	VGS(th) min	2.5 V
RthJC max	3.65 K/W	IDpuls max	61.0 A
Polarity	N	ID max	21.0 A
RDS (on) max	165.0 mΩ	Mounting	THT

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..